Manolo писал(а):
BlackDoc Я в общем сказал, не в адрес вашей ссылки или еще чьей-либо. Честно говоря, уже самому смешно-тема разрослась, а из всего полезного-буквально пара слов. Хотя, надо заметить, очень дельных-теперь знаю "где копать", что читать. В принципе, это мне урок на будущее, с такими тонкостями тут не выступать, на форуме физиков почти все уже "разжевали", что можно было без глубокого погружения в формулы и долгую писанину. А здесь это никому не надо, ну либо объяснять неохота людям. Тут тоже двояко-есть у меня один товарищ, как раз радиотехнический институт закончил, я ему про транзисторы вопросы, он мне-как это ты таких простых вещей не знаешь, это же все в учебнике есть. Начали разбираться, и в итоге выяснили, что знает он еще сильно поменьше, чем я. Куда там до тонкостей диффузией и точности ее распределения в полупроводниках или зонной теории, на гораздо более простых вещах стало понятно, что многое он не понимает и просто принял как факт. Но это еще так, "цветочки". Тут недавно со связистом общался, вопросы начал задавать-как сигналы различаются, белы-децибелы, откуда это берется попросил напомнить. В ответ-я не помню(читай-мне все равно), в мои обязанности входит то-то и то-то. А остальное мне до лампады. Вот так. А потом удивляемся уровню образования. Зачем что-то знать? Чип отковырял, чип припаял-все, ты мастер. Главное самому в это верить. Нет желания больше обсуждать эту тему, каждому свое.
Manolo.
Чип отковырять и чип припаять, если сделать все хорошо и правильно - ты действительно мастер своего дела... это радиомонтажник 3-го или 4-го разряда и для этого у него отличный уровень образования. Ему не нужно знать про физические процессы в транзисторе в объемах высшей школы или кандидатского минимума. И при чем тут уровень образования?
Вы задаете вопросы которые вас интересуют, потому что хотите докопаться до сути и это похвально, но почему-то книги вам непонятны, а требуется "разжевывание" на уровне вопросов студентов преподавателю во время лекции. Может лучше тогда подтянуть базу так сказать. Либо до понимания книг, либо лекции, вебинары или подобное.
Инженерный путь он более тернист и практичен, хотя и должен быть подкреплен теоретической базой не спорю. Но сеять вечное и доброе это всеже пререгатива учителей.
Надеюсь - без обид. Постарался ответить на ваш первый вопрос. Такое объяснение вроде должно быть понятно.
.......
Возьмем, например, биполярный транзистор структуры n-p-n, подадим на переход база-эмиттер прямое смещение, а на переход база-коллектор обратное, т.е. введем транзистор в нормальный активный режим работы. Понятно, что в таком случае электроны из сильно легированного эмиттера пойдут в базу. База обладает очень малой толщиной, не помню как в точности-сопоставима с размерами электрона, если не ошибаюсь, плюс в ней содержится сравнительно небольшое количество дырок, по отношению к количеству электронов, "летящих" из эмиттера, поэтому лишь небольшое число электронов и дырок рекомбинирует, а остальные попадают в коллектор.
И вот тут у меня возникает вопрос-они туда попадают благодаря тому, что толщина базы очень мала? Т.е. грубо говоря, электрон, влетая в базу, двигаясь благодаря действию электрического поля, весь в эту базу не помещается, несмотря на свой крошечный размер, и автоматически оказывается в коллекторе ? Или его как бы "втягивает" более сильное(по сравнению с полем, действующим в базе) электрическое поле коллектора, которое, благодаря своей направленности, "заставляет электроны лететь к плюсу" ? Вот эти моменты не совсем ясны мне. Если кто знает-пролейте свет на них, пожалуйста, только не текстами из учебника, а своими словами, чтобы понятно было. .....
- При прямом напряжении, приложенном к эмиттерному переходу, потенциальный барьер перехода понижается и в базу инжектируются носители заряда.
- Инжектированные в базу
неосновные носители заряда диффундируют в сторону коллекторного перехода.
- Вследствие того, что ширина базы транзистора мала и концентрация основных носителей заряда в ней низкая, почти все инжектированные в базу неосновные носители заряда достигают коллекторного перехода и перебрасываются
полем потенциального барьера в коллектор, образуя управляемый ток коллектора.
- Небольшая часть инжектированных носителей заряда успевает рекомбинировать в базе, образуя
рекомбинированную составляющую тока эмиттера, которая замыкается через цепь
базы.
- Через цепь
базы замыкается также небольшая составляющая тока эмиттера, образованная
диффузией неосновных носителей заряда из базы в эмиттер, и
обратный ток коллекторного перехода.