На пальцах:
существует понятие тепловой положительной обратной связи (для активного режима). Т.е. при работе транзистора выделяется некоторое тепло (за счет ненулевого сопротивления канала), это тепло приводит к увеличению тока рабочей точки, что, в свою очередь, вызывает еще больший разогрев транзистора. У латералов увеличение температуры, наоборот, приводит к уменьшению тока канала.
Но это все для активного режима.
Для ключевого тепло рассеивается:
а) за счет утечки через закрытый канал (при напряжении на затворе ниже порогового);
б) за счет протекания тока через ненулевое сопротивление канала во включенном состоянии.
Собственно, для ключевого режима уменьшение рассеивания тепла можно достичь только уменьшением сопротивления открытого канала/уменьшением тока канала. Для этого увеличивают крутизну, уменьшают толщину подзатворного диэлектрика, увеличивают соотношение ширины канала к длине (минимальная длина канала ограничена проектными нормами - теми самыми, которые 22нм и т.п:))
Собственно, т.к. в ключевом режиме не о какой термостабилизации речь и не идёт, ни разу не видел логики с латеральной структурой, а все делается на горизонтальных транзисторах.
Честно говоря, ни разу и не слышал ни о каких работах в этой области (замена структуры).
Особенно вштырило в статье описание процесса "печатать, как на бумаге" и т.п. Конечно, есть сплавные структуры
, но все остальное получают изменением объема полупроводника. Когда-то диффузионными процессами, теперь ионной имплантацией, но все равно работа с ОБЪЕМОМ. А плоская печать...
Там либо абсолютно кривой перевод, либо автор статьи пишет колонку для домохозяек, а ему просто поручили написать статью про транзисторы.
Вход
Регистрация
FAQ
